Антава

INFINEON

Транзистор IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
79 A
Рассеиваемая мощность
94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 045 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%189,38 ₽

Сумма · с НДС 22%189,38 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1189,38 ₽
от 10161,07 ₽
от 25154,45 ₽
от 50148,75 ₽
от 100143,78 ₽
от 500116,20 ₽
от 1000108,11 ₽
от 2500104,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPD031N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current79 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя