Антава

INFINEON

Транзистор IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
79 A
Рассеиваемая мощность
94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD031N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current79 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя