Антава

INFINEON

Транзистор IPD028N06NF2SATMA1

IPD028N06NF2SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
139 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPD028N06NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current139 A
Power dissipation150 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance2.85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 139A; 150W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.