Антава

INFINEON

Транзистор IPC50N04S5-5R8

IPC50N04S5-5R8
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
42 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPC50N04S5-5R8
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность42 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя