Антава

INFINEON

Транзистор IPC100N04S5L-2R6

IPC100N04S5L-2R6
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPC100N04S5L-2R6
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя