Антава

INFINEON

Транзистор IPC100N04S5L-1R1

IPC100N04S5L-1R1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPC100N04S5L-1R1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation150 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя