Антава

INFINEON

Транзистор IPC100N04S5-1R9

IPC100N04S5-1R9
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPC100N04S5-1R9
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation100 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя