Антава

INFINEON

Транзистор IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
80 A
Power dissipation
210 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB80N06S2L07ATMA3
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current80 A
Power dissipation210 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя