Антава

INFINEON

Транзистор IPB65R310CFDATMA2

IPB65R310CFDATMA2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.4 A
Power dissipation
104.2 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB65R310CFDATMA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current11.4 A
Power dissipation104.2 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 11.4A; 104.2W; D2PAK,TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.