Антава

INFINEON

Транзистор IPB65R190CFDATMA1

IPB65R190CFDATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
17.5A
Power dissipation
151W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB65R190CFDATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current17.5A
Power dissipation151W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.19Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя