Антава

INFINEON

Транзистор IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
17.5A
Power dissipation
151W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB65R190CFDAATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current17.5A
Power dissipation151W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance171mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.