Антава

INFINEON

Транзистор IPB65R110CFDATMA1

IPB65R110CFDATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
31.2A
Power dissipation
277.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB65R110CFDATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current31.2A
Power dissipation277.8W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.11Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя