Антава

INFINEON

Транзистор IPB65R045C7

IPB65R045C7
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650V
Drain current
46A
Pulsed drain current
212A
Корпус
D2PAK, TO263AB
On-state resistance
45mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB65R045C7
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650V
Drain current46A
Pulsed drain current212A
КорпусD2PAK, TO263AB
On-state resistance45mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge93nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 46A; Idm: 212A; D2PAK,TO263AB

Документация

Документы пока не предоставлены.