Антава

INFINEON

Транзистор IPB64N25S320ATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS® -T
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
46A
Pulsed drain current
256A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB64N25S320ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS® -T
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current46A
Pulsed drain current256A
Power dissipation300W
КорпусPG-TO263-3-2
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A

Документация

Документы пока не предоставлены.