INFINEON
Транзистор IPB64N25S3-20
D2PAK-3Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 250 V
- Drain current
- 64 A
- Power dissipation
- 300 W
- Корпус
- D2PAK-3
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 995 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 046,13 ₽
Сумма · с НДС 22%12 553,56 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 12 | 1 046,13 ₽ | |
| от 30 | 957,51 ₽ | |
| от 50 | 940,17 ₽ | |
| от 100 | 834,21 ₽ | |
| от 200 | 828,43 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IPB64N25S3-20 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 250 V |
| Drain current | 64 A |
| Power dissipation | 300 W |
| Корпус | D2PAK-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; 300W; D2PAK-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.