Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R360P7ATMA1

IPB60R360P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
6A
Power dissipation
41W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB60R360P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current6A
Power dissipation41W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.36Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK

Документация

Документ производителя