Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CPATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ CP
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Power dissipation
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB60R299CPATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ CP
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Power dissipation96 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.299 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя