Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8 A
Power dissipation
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB60R180C7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8 A
Power dissipation68 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK

Документация

Документ производителя