Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
23.8 A
Power dissipation
176 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB60R160C6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current23.8 A
Power dissipation176 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя