Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ C6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Power dissipation
219 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB60R125C6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ C6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Power dissipation219 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя