Антава

INFINEON

Транзистор IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
16 A
Power dissipation
95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB60R120P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current16 A
Power dissipation95 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK

Документация

Документ производителя