Антава

INFINEON

Транзистор IPB50N10S3L16ATMA1

IPB50N10S3L16ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
50 A
Power dissipation
100 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB50N10S3L16ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current50 A
Power dissipation100 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance13.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.