Антава

INFINEON

Транзистор IPB339N20NM6ATMA1

IPB339N20NM6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
156 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB339N20NM6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current39 A
Pulsed drain current156 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance33.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.9nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A

Документация

Документ производителя