Антава

INFINEON

Транзистор IPB320P10LMATMA1

IPB320P10LMATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-63 A
Power dissipation
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB320P10LMATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-63 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge219nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -63A; 300W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.