Антава

INFINEON

Транзистор IPB200N25N3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Drain-source voltage
250 V
Drain current
64 A
Pulsed drain current
256 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 676 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 471,38 ₽

Сумма · с НДС 22%11 771,04 ₽

От 8 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 81 471,38 ₽
от 101 342,05 ₽
от 301 255,83 ₽
от 501 238,96 ₽
от 601 233,34 ₽
от 1001 102,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB200N25N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Drain-source voltage250 V
Drain current64 A
Pulsed drain current256 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.