Антава

INFINEON

Транзистор IPB200N25N3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Drain-source voltage
250 V
Drain current
64 A
Pulsed drain current
256 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB200N25N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Drain-source voltage250 V
Drain current64 A
Pulsed drain current256 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.