INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB180P04P4L02ATMA2

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IPB180P04P4L02ATMA2
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	OptiMOS™ P2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-140A
Pulsed drain current	-720A
Power dissipation	150W
Корпус	PG-TO263-7
Gate-source voltage	-16...5V
On-state resistance	2.4mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	65nC
Kind of package	reel
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W

Документация

Документ производителя