Антава

INFINEON

Транзистор IPB180N10S402ATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
TO263-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB180N10S402ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO263-7
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge156nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.