Антава

INFINEON

Транзистор IPB180N04S4L01ATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Drain-source voltage
40 V
Drain current
180 A
Pulsed drain current
720 A
Рассеиваемая мощность
188 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB180N04S4L01ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Drain-source voltage40 V
Drain current180 A
Pulsed drain current720 A
Рассеиваемая мощность188 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance1.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 180A; Idm: 720A; 188W

Документация

Документы пока не предоставлены.