Антава

INFINEON

Транзистор IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB180N04S4H0ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge173nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W

Документация

Документ производителя