Антава

INFINEON

Транзистор IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 535 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%768,87 ₽

Сумма · с НДС 22%768,87 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1768,87 ₽
от 10415,12 ₽
от 50366,39 ₽
от 100346,53 ₽
от 250321,26 ₽
от 500303,22 ₽
от 1000292,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB180N04S4H0ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусPG-TO263-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge173nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W

Документация

Документ производителя