INFINEON

Транзистор IPB160N04S4LH1ATMA1

PG-TO263-7-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 160 A
Pulsed drain current: 640 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPB160N04S4LH1ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™ T2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	160 A
Pulsed drain current	640 A
Power dissipation	167 W
Корпус	PG-TO263-7-3
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	1.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A

Документация

Документы пока не предоставлены.