Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ T2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
120A
Power dissipation
188W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB120N06S402ATMA2
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ T2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current120A
Power dissipation188W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge150nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W

Документация

Документ производителя