Антава

INFINEON

Транзистор IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
158 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB120N04S402ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность158 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.58 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge134nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.