Антава

INFINEON

Транзистор IPB110N20N3LF

IPB110N20N3LF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
61A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB110N20N3LF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current61A
Power dissipation250W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя