INFINEON

Транзистор IPB100N10S305ATMA1

PG-TO263-3-2Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 400 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IPB100N10S305ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS® -T
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	400 A
Рассеиваемая мощность	300 W
Корпус	PG-TO263-3-2
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A

Документация

Документы пока не предоставлены.