Антава

INFINEON

Транзистор IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
100 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB100N06S2L05ATMA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current100 A
Power dissipation300 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя