Антава

INFINEON

Транзистор IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55V
Drain current
100A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB100N06S205ATMA4
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55V
Drain current100A
Power dissipation300W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя