Антава

INFINEON

Транзистор IPB100N04S4H2ATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB100N04S4H2ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусD2PAK-3
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.