Антава

INFINEON

Транзистор IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB100N04S303ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W

Документация

Документ производителя