Антава

INFINEON

Транзистор IPB081N06L3G

IPB081N06L3G
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
50 A
Power dissipation
79 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB081N06L3G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current50 A
Power dissipation79 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя