Антава

INFINEON

Транзистор IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
81 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB073N15N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current81 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя