Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
80A
Power dissipation
136W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB067N08N3GATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current80A
Power dissipation136W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя