Антава

INFINEON

Транзистор IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
45 A
Power dissipation
83 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPB057N06NATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current45 A
Power dissipation83 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя