INFINEON
Транзистор IPB057N06NATMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 45 A
- Power dissipation
- 83 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IPB057N06NATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 45 A |
| Power dissipation | 83 W |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 5.7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.