Антава

INFINEON

Транзистор IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
50 A
Power dissipation
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB055N03LGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current50 A
Power dissipation68 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя