Антава

INFINEON

Транзистор IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPB054N08N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя