Антава

INFINEON

Транзистор IPB048N15N5LF

IPB048N15N5LF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
115 A
Power dissipation
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB048N15N5LF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current115 A
Power dissipation313 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя