Антава

INFINEON

Транзистор IPB043N10NF2SATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
135 A
Power dissipation
167 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPB043N10NF2SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current135 A
Power dissipation167 W
КорпусD2PAK-3
On-state resistance4.35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.