Антава

INFINEON

Транзистор IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 866 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%659,78 ₽

Сумма · с НДС 22%659,78 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1659,78 ₽
от 10462,97 ₽
от 20402,99 ₽
от 50341,14 ₽
от 100299,90 ₽
от 200269,91 ₽
от 500258,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB042N10N3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя