Антава

INFINEON

Транзистор IPB042N10N3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
100 V
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
214 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 778 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%261,42 ₽

Сумма · с НДС 22%13 855,26 ₽

От 53 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 53261,42 ₽
от 100257,66 ₽
от 500229,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPB042N10N3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage100 V
Pulsed drain current400 A
Power dissipation214 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge88nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.